在微納制造領(lǐng)域，特殊形貌的三維微結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)器件多功能化的關(guān)鍵。日本傾斜角刻蝕技術(shù)憑借其角度調(diào)控能力，突破了傳統(tǒng)垂直刻蝕的局限，可制備出傾斜側(cè)壁、螺旋、柱狀陣列等復(fù)雜微納結(jié)構(gòu)，在光學(xué)、生物醫(yī)療、傳感器等領(lǐng)域占據(jù)重要地位，成為微納加工領(lǐng)域的代表性技術(shù)之一。

　　日本傾斜角刻蝕技術(shù)源于傳統(tǒng)等離子體刻蝕的創(chuàng)新升級，其核心原理是通過調(diào)整樣品臺與等離子體束流的夾角，結(jié)合掩模的陰影效應(yīng)，實現(xiàn)非垂直方向的選擇性刻蝕。在刻蝕過程中，樣品臺可繞軸線旋轉(zhuǎn)并精準控制傾斜角度，等離子體中的活性離子沿傾斜方向轟擊樣品表面，被掩模遮擋的區(qū)域得以保留，未遮擋區(qū)域則隨刻蝕時間推移形成傾斜或三維結(jié)構(gòu)。此外，日本研發(fā)的深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)與傾斜角控制的結(jié)合，可實現(xiàn)高深寬比與傾斜角度的協(xié)同調(diào)控，進一步拓展了結(jié)構(gòu)制備的多樣性。
 

　　該技術(shù)的核心優(yōu)勢體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)可控性強與工藝兼容性高。通過精確調(diào)節(jié)傾斜角度、旋轉(zhuǎn)速度與刻蝕功率，可靈活控制微結(jié)構(gòu)的傾斜角度、側(cè)壁粗糙度與深寬比，制備出角度誤差小于1°的高精度傾斜結(jié)構(gòu)；同時，其工藝可與傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造流程兼容，適用于硅、玻璃、金屬等多種基材，無需額外改造生產(chǎn)線路，降低了工業(yè)化應(yīng)用成本。

　　在實際應(yīng)用中，日本傾斜角刻蝕技術(shù)已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化落地。在光學(xué)領(lǐng)域，利用該技術(shù)制備的傾斜光柵結(jié)構(gòu)，可顯著提升液晶顯示器的背光利用率與視角范圍，成為顯示面板的核心技術(shù)之一；在生物醫(yī)療領(lǐng)域，傾斜角刻蝕加工的微針陣列，可實現(xiàn)藥物的無痛經(jīng)皮給藥，已應(yīng)用于胰島素等多肽類藥物的遞送系統(tǒng)；在傳感器領(lǐng)域，基于傾斜柱狀結(jié)構(gòu)的氣體傳感器，通過增大比表面積與氣體接觸效率，靈敏度較傳統(tǒng)傳感器提升5-10倍。

　　近年來，日本傾斜角刻蝕技術(shù)不斷向更微觀、更復(fù)雜的方向突破。目前，其刻蝕精度已達到納米級，可制備出用于量子點器件的三維納米結(jié)構(gòu)；同時，與納米壓印光刻的結(jié)合，實現(xiàn)了大面積復(fù)雜微納結(jié)構(gòu)的低成本批量生產(chǎn)。